计算机工程与科学

作者：王霞, 郑龙飞, 王蒙军, 张红丽, 吴建飞,

单位：（1.河北工业大学电子信息工程学院,天津 300401;2.电子材料与器件天津市重点实验室,天津 300401;3.天津先进技术研究院,天津 300401;4.国防科技大学电子科学学院,湖南 长沙 410073）

关键词：FPGA,辐射发射,近场扫描,电磁屏蔽材料,电磁辐射抑制,

随着半导体技术的不断发展，集成电路的电路速度、集成密度和I/O端口数量已大大增加，FPGA的小型化、高密度集成会引发电磁兼容性的问题，电磁屏蔽是抑制电磁辐射最有效的方法，选择高效的电磁屏蔽材料可以取得良好的屏蔽效果。而目前电磁屏蔽材料在FPGA上的应用较少，因此选取了一款具有代表性的高性能FPGA作为研究对象，通过近场扫描测试来研究不同状态下FPGA的电磁辐射发射问题；针对芯片的特点，选取了复合金属屏蔽罩和吸波导电海绵作为电磁屏蔽材料，对FPGA的辐射发射进行抑制。进一步的实验结果表明，由金属材料复合而成的屏蔽罩具有更好的屏蔽效能，达到了10 dBm,相比之下，吸波导电海绵的压缩性和结构稳定性更有助于FPGA在多场景下应用。

来源：2021年第5期

《计算机工程与科学》期刊编辑部

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